第八届全国大学生集成电路创新创业大赛全国总决赛于2024年8月21日在山东省烟台哈尔滨工程大学研究院落下帷幕，全国共有430多所高等院校的5600支参赛队报名参赛，本硕博团队超16000人。大赛覆盖集成电路全产业链主要方向，包括集成电路设计、芯片应用、半导体工艺、半导体测试、EDA以及集成电路创新成果等13个技术方向，共设22个挑战杯赛。本届大赛共评出全国一、二、三等奖作品514项。我校组织学生参加了半导体产业链赛道——半导体工艺，获得全国二等奖1项。

　　本赛题主要涵盖28nm MOSFET器件工艺制造全流程的三个阶段，分别对应初赛、分赛区决赛和全国总决赛：初赛28nm MOSFET器件工艺仿真设计；分赛区决赛为28nm MOSFET器件建模与完成PDK阶段；全国总决赛为28nm MOSFET器件制造与测试验证阶段。我校竞赛团队采用应力工程、高介电常数介质和金属栅工艺(HKMG)、Silicide等先进制造工艺设计出高性能28nm MOSFET器件，器件亚阈值区摆幅为86mv/dec.，漏致势垒降低效应值50mV,不存在衬底串通现象，满足28nm性能约束。在比赛现场实操过程中，团队成员之间紧密合作，配合默契，展现出极高的团队精神和专业素养。

竞赛题目：紫光教育杯——28nm MOSFET器件工艺制造全流程

学生队员：唐雅仝、吴俊灵、房铮楠

指导老师：吴继宝

编辑：赵晗宇　严许媖